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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华东某LED外延性片产生单位,因产生整个过程中应用砷化镓、酸洗铟等III-V族氧化物,废硫酸铜溶液含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等巨资属,设计构思工作整体规模1200吨/日。 废水处理成份及源 MOCVD设施擦洗废气 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等有机化学金属质类化合物 割切磨研污废水 :含納米级黑色金属顆粒 主轴电镀废液 :含铜、镍等金属材料铝离子 净化处理艺步骤流程 不断创新所采用"硫化破络+血本属捕集器+膜分离处理"组成制作工艺: 预净化处理单无 :加药氢氧化钙工业制硝酸巧妙合金络合物 主要外理象限 : 用到DTCR血本属捕集器剂导致不可溶性螯合物 反渗透膜系统化(UF)挪用大团伙危害物 反渗(RO)脱盐率>98% 污水清理单元测试卷 :离心式脱水情况后代为垃圾加工公司处理 结果是疗效 经第二方检验: 总砷含磷量:0.05mg/L(行业标准0.5mg/L) 镉含碳量:0.01mg/L(执行标准0.1mg/L) 水中水回用率:75% 启动成本费用:3.8元/吨水

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